据外媒报导，日本Nitride Semiconductors已开宣布一款波长为365nm的UV LED芯片，并宣称是首个用于半导体和PCB制程曝光体系的紫外光源。
据悉，用于半导体制程的曝光体系现在仍运用紫外汞灯，存在待机时间长、作业寿命短、紫外光照度稳定性低、开关操控不方便等功能性约束问题。别的，因为环境污染问题，估计《水俣条约》的施行将推进LED光源加速代替含汞光源。
新式UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。通常情况下，半导体制程为完成精准曝光，需求运用平行光。但是，因为UV LED光源发光角比较宽（约120°），用于曝光所获的光量往往缺乏。因而，经过结合深度反射镜与高透光率透镜，该公司完成了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有或许直接替换传统曝光体系所用的UV光源，无需购买新的UV LED曝光体系。
