在不久前发布的2018年Q4季度财务报表指引显示三星当季盈利会大幅度地下跌。盈利暴跌的根本原因就是三星
为弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星强化了代工业务。要想赶超台积电，就要抢在台积电之前量产先进工艺了。根据三星高管表示，他们在今年下半年将量产7nm EUV工艺，而在2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
在去年年底，三星宣布将在2020年使用4nm GAA工艺。此前，有业内观察人士对此曾提出过质疑，如Garner副总裁Samuel Wang对2022年之前量产GAA技术表示怀疑，而现在他已经打消了疑虑，并表示三星可能会比预期更早地将GAA芯片投入生产。
只不过，三星对于关于3nm GAA工艺何时量产的说法似乎并没有一个统一的表态。三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung曾在去年12月在IEDM会议上表示三星已完成了3nm工艺技术的性能验证，并在加强完善该工艺，目标在2020年大规模量产。
3nm GAA工艺不论是在2020年还是2021年量产，现在都还有点远。三星今年主推7nm EUV工艺，预计今年下半年量产——尽管三星去年就宣布7nm EUV工艺能够量产了，实际上此前所说的量产是风险试产，远未达到规模量产的地步，今年年底大规模量产才能真正落地。
根据三星官方新闻稿称，三星7nm EUV工艺将于今年下半年正式量产。台积电在此之前也宣布了7nm EUV工艺上今年量产。有必要注意一下的是，两家虽然同为7nm的工艺制程，但所采用的技术确完全不一样。台积电的7nm采用的是传统光刻技术，性能提升相对不大，但在量产上能够夺得先机。
三星的7nm工艺采用了先进的EUV（远紫外区光刻）技术，这种技术优点是已经接近性能极限，缺点是量产时间会比较晚。
随着硬件工艺制程越来越向1nm逼近，原有的半导体光刻工艺技术已出现了越来越明显的局限性。制程技术如果想要有更高的突破，并且在未来7nm、5nm、3nm制程节点上有所发展，那么就必须要有新的制程技术。
对照10纳米FinFET制程，三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高，而且面积效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。因此，三星在7nm制程上无疑领先了不少，EUV极紫外光刻技术也将是下一代、甚至未来几代制程工艺的主要技术。
这样看来，在7nm EUV工艺上，三星并没有进度优势。不过，三星在7nm EUV工艺上有自己开发的光罩检查工具，而目前市场上的其他厂商暂时还没有类似的商业工具。
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